陈敬教授是香港科技大学电子及计算机工程学系讲座教授、香港科技大学深圳研究院教授、美国电气电子工程协会会士。1988 年本科毕业于北京大学电子学系；1993 年毕业于美国马里兰大学，获物理学博士学位。1994 年至1995 年，于日本NTTLSI 实验室任研究工程师，主要从事量子效应器件和异质结场效应管的研制。1996 年至1998 年于香港城市大学任助理教授，从事高速器件和电路的模拟工作。1999 年加入美国Agilent 科技的无线半导体部门，从事双波段GSM/DCS 无线手持设备中射频功率放大器的设计和研究。 2000 年加入香港科技大学，主要从事宽禁带半导体高频微波电子器件、功率电力电子器件及高温电子器件的研究。近年来尤为关注商用p-GaN 栅HEMT的器件物理、稳定性与可靠性提升、以及全GaN 集成技术，揭示了器件本征的动态阈值变化机理、研发了p-GaN 栅与AlGaN 连通区表面(Al)GaON 加固技术、开发了GaN 基CMOS 技术，获得学界、业界同行广泛关注并跟随研究。陈敬教授共发表SCI 论文400余篇，总引用次数超过10000 次，H 因子为50。已获授权美国发明专利12 项。在国际电子器件会议IEDM 作报告30 次（包括2 次邀请报告）；在国际功率半导体电子器件会议ISPSD 作演讲报告或海报展示共计50 余次，并获Charitat Award 4 次。在国际氮化物半导体会议ICNS/IWN 等做邀请报告30 余次。5 次担任IEDM 功率及化合物半导体分会技术委员会委员（其中1 次担任主席），3 次担任ISPSD 会议宽禁带/氮化物分会主席，1 次担任ISPSD 技术委员会主席。
